《如何认定涉案专利是否构成实质性近似犯罪》如何认定涉案专利是否构成实质性近似

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案情简介：如何认定涉案专利是否构成实质性近似

甲公司聚全光电科技(上海)有限公司(以下简称甲公司)表示：甲公司完成了名为ATT7021AU的集成电路的布图设计，并取得了布图设计登记证书。甲公司发现，未经其许可，乙公司复制了其受保护的布图设计，并将含有该布图设计的集成电路即RN8209G芯片和RN8209芯片与乙公司亚创公司一起用于商业目的进行销售。甲公司认为乙公司的行为侵犯了其集成电路布图设计专有权，故诉至法院，请求判令乙公司： (一)立即停止侵犯集成电路布图设计专有权的行为；(2)立即销毁侵权产品及与A公司集成电路布图设计产品相关的宣传资料；(3)在显著位置《环球表计》或《国际电子商情》向A公司公开道歉，并保证今后不再侵犯A公司的集成电路布图设计专有权；(4)赔偿A公司经济损失人民币1500万元(以下币种相同)，包括A公司为制止侵权行为所支出的合理费用。

法院判决：构成侵权

法院审理查明，2008年3月1日，A公司完成了名为“ATT7021AU”的布图设计创作，并于同年对该布图设计进行了注册。本次集成电路版图设计注册图16张，注册文件《ATT7021AU集成电路版图设计结构、工艺和功能简述》记载：(1)已达到行业内同芯片(单相电能计量)功能/性能优化区域的版图设计要求；(2)数模混合高抗干扰/高静电防护芯片的版图设计；(3)利用金属层、扩散层、信号流合理布局等电路设计技术和布局技术，屏蔽敏感信号噪声，隔离大小信号干扰。判断：1。B公司立即停止侵犯A公司享有的集成电路布图设计ATT7021AU(注册号BS.08500145.7)专有权；2.乙公司应于判决生效之日起十日内赔偿甲公司经济损失及停止侵权的合理费用共计人民币320万元；3.驳回A公司的其余诉讼请求.

律师说法：如何认定是否构成实质性近似

由于集成电路布图设计的创新空间有限，在布图设计侵权判定中，对两个布图设计是否相同或者实质上相似采用了严格的标准。但瑞能微公司案中涉及的RN8209和RN8209G芯片对应的版图设计仍与某公司ATT7021AU集成电路的版图设计有实质相似之处，即“数字地轨与模拟地轨连接的版图”和“独立升压电路的版图”。(1)关于“数字接地轨和模拟接地轨之间的连接布局”。A公司主张的数字地轨与模拟地轨的连接布局，主要由“数字地轨与模拟地轨的连接位于芯片东侧中心附近”、“连接(即四个二极管)呈之字形排列”、“两条地轨呈南北走向，两个45度后向东转弯，分别穿过之字形上下方眼布局的中间”、“两条地轨不接触不连接”等构成。能量微公司的RN8209和RN8209G芯片对应的版图设计特点是：数字地轨和模拟地轨的交界处位于芯片东侧中心附近；四个二极管在结处呈之字形排列；一条地轨由北向南穿过两个45度，然后向东转弯直行，横向穿过上面两个呈锯齿形排列的二极管；另一条地轨由南向北穿过两条45度轨道，然后向东转弯直行，横向穿过下方两个呈锯齿形排列的二极管；两个接地轨相互平行，没有接触。因此，涉案的RN8209和RN8209G芯片的“连接数字和模拟地轨的布局”的上述特征与a公司的“连接数字和模拟地轨的布局”的主要特征是一一对应的，因此， 涉案的RN8209和RN8209G芯片的“独立升压电路版图”的上述特征与a公司的“独立升压电路版图”的主要特征相同，至于瑞能微公司所主张的M1、M2、M3、PL层的MOS管尺寸差异，则是细微或微小的差异，而ST层的差异则是由于双方使用的工艺不同而造成的。 因此，睿能微公司主张的上述差异不足以影响对涉案RN8209和RN8209G芯片对应版图设计与a公司“独立升压电路版图”相同或实质相似的判断。

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